июль-2011

Высокотемпературные биполярные транзисторы в микрокорпусе размером 1,0 x 0,6 x 0,5 мм

Фирма Diodes Incorporated анонсировала выпуск нового семейства малосигнальных биполярных транзисторов общего применения в микрокорпусе DFN1006, которые по своим характеристикам не уступают и даже превосходят аналоги, размещенные в корпусах большего размера. Транзисторы как n-p-n, так и p-n-p типов могут работать при температурах окружающей среды в пределах от -55°C до +150°C.

Транзисторы в микрокорпусе DFN1006 производства Diodes Incorporated

Новые транзисторы в корпусе DFN1006 по сравнению с аналогами в корпусе SOT-23 занимают на плате в 13 раз меньшую площадь, при этом их тепловое сопротивление "кристалл-среда" на 29% ниже: 500°C/Вт против 556°C/Вт. И это с оговоркой, что транзисторы установлены на минимально допустимые по своим размерам контактные площадки, увеличение площади которых, скорее всего, приведёт к ещё некоторому уменьшению теплового сопротивления, а значит и к увеличению максимально допустимого значения рассеиваемой транзистором мощности при повышенной температуре окружающей среды.

Для различных транзисторов этой серии максимально допустимое значение напряжения коллектор-эмиттер колеблется в диапазоне от 15 до 50 вольт. При работе в качестве транзисторного ключа транзисторы выдерживают импульсы коллекторного тока до 1 А, а их резистивное сопротивление в открытом состоянии не превышает 0,3 Ом при коллекторном токе 0,5 А. Заслуживает внимание также малое значение напряжения насыщения коллектор-эмиттер, не превышающее, например, 25 мВ при токе коллектора 10 мА.

По материалам "Electronic Design": "Bipolar Transistors Go Micro Mini".

Тех. информация на сайте производителя: "Bipolars in Super-Small-Size DFN1006 Package Save Space".

Rambler's Top100 Рейтинг@Mail.ru Яндекс цитирования